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硅集成电路工艺基础

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¥36.00¥36.00

作　　者：关旭东 (作者)
出版社：北京大学出版社
书　　号：9787301065075
版次：1
出版时间：2003/1/1
印次：1
图书开本：16开
页数：349

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《普通高等教育"十五"国家级规划教材•硅集成电路工艺基础》是根据作者多年教学经验并结合当今集成电路制造中新技术及新工艺编写而成的。

前言
第一章硅的晶体结构
1.1 硅晶体结构的特点
1.1.1 晶胞
1.1.2 原子密度
1.1.3 共价四面体
1.1.4 晶体内部的空隙

1.2 晶向、晶面和堆积模型
1.2.1 晶向
1.2.2 晶面
1.2.3 堆积模型图
1.2.4 双层密排面

1.3 硅晶体中的缺陷
1.3.1 点缺陷
1.3.2 线缺陷
1.3.3 面缺陷
1.3.4 体缺陷
1.4 硅中杂质
1.5 杂质在硅晶体中的溶解度
参考文献
第二章氧化
第三章扩散
第四章离子注入
第五章物理气相淀积
第六章化学气相淀积
第七章外延
第八章光刻与刻蚀工艺
第九章金属化与多层互连
第十章工艺集成
附录
缩略语及物理量

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