刘恩科《半导体物理》

商品介绍
买家评价
圣才社群

商品介绍

内容简介

本书以正确阐述物理概念为主，辅以必要的数学推导，理论分析有一定深度，但又不是把基本物理概念淹没在繁琐的数学运算中，使读者通过学习，达到对半导体中的各种基本物理现象有一全面正确的概念，建立起清晰的半导体物理图像，为后续课程的学习，研究工作的开展，理解各种半导体器件，集成电路的工作机理打下良好的基础。

第1章半导体中的电子状态

1.1 半导体的晶格结构和结合性质

1.2 半导体中的电子状态和能带

1.3 半导体中电子的运动有效质量

1.4 本征半导体的导电机构空穴

1.5 回旋共振［4］

1.6 硅和锗的能带结构

1.7 族化合物半导体的能带结构

1.8 族化合物半导体的能带结构

1.9 Si 1- x Ge x 合金的能带

1.10 宽禁带半导体材料

第2章半导体中杂质和缺陷能级

2.1 硅、锗晶体中的杂质能级

2.2 族化合物中的杂质能级

2.3 氮化镓、氮化铝、碳化硅中的杂质能级 02.4缺陷、位错能级

第3章半导体中载流子的统计分布

3.1 状态密度

3.2 费米能级和载流子的统计分布

3.3 本征半导体的载流子浓度

3.4 杂质半导体的载流子浓度

3.5 一般情况下的载流子统计分布

3.6 简并半导体

3.7 电子占据杂质能级的概率

第4章半导体的导电性

4.1 载流子的漂移运动和迁移率

4.2 载流子的散射

4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系

4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系

4.5 玻耳兹曼方程

4.6 强电场下的效应热载流子

4.7 多能谷散射、耿氏效应

第5章非平衡载流子

5.1 非平衡载流子的注入与复合

5.2 非平衡载流子的寿命

5.3 准费米能级

5.4 复合理论

5.5 陷阱效应

5.6 载流子的扩散运动

5.7 载流子的漂移扩散，爱因斯坦关系式

5.8 连续性方程式

5.9 硅的少数载流子寿命与扩散长度

第6章 pn结

6.1 pn结及其能带图

6.2 pn结电流电压特性

6.3 pn结电容

6.4 pn结击穿

6.5 pn结隧道效应

第7章金属和半导体的接触

7.1 金属半导体接触及其能级图

7.2 金属半导体接触整流理论

7.3 少数载流子的注入和欧姆接触

第8章半导体表面与MIS结构

8.1 表面态

8.2 表面电场效应

8.3 MIS结构的CV特性

8.4 硅—二氧化硅系统的性质

8.5 表面电导及迁移率

8.6 表面电场对pn结特性的影响

第9章半导体异质结构

9.1 半导体异质结及其能带图

9.2 半导体异质pn结的电流电压特性及注入特性

9.3 半导体异质结量子阱结构及其电子能态与特性

9.4 半导体应变异质结构

圣才学习网全部分类

刘恩科《半导体物理》

商品介绍